我实验室学生参加AM-FPD’16学术会议
2016年7月5日，第23届AMFPD（有源矩阵及平板显示）国际学术会议在日本京都市的龙谷大学校友会馆（avanti hall）拉开帷幕，我实验室博、硕士研究生：王翠翠、卢红娟、任重阳、肖宇翔、巨鑫、张满参加了此次会议。
AMFPD是由国际功能薄膜材料与器件协会，日本应用物理协会，IEEE电子器件协会等共同发起和赞助。自1994年开办以来，该会议为从事和开发平板显示系统、器件和工艺、薄膜材料和太阳能光电板等研究人员提供了重要的研讨机会。本次AM-FPD’16主要的研讨热点为新型薄膜晶体管技术、太阳能电池、感测器件的薄膜材料、平板显示驱动电路和系统等。
会议的主题是“What’s Going on and What’s the Next”，主要针对在显示领域的当前形势和未来展望。大会由Dr. Taiichiro Kurita和Prof. Atsushi Wakamiya分别作了题为“AM-FPDs will Make Further Progress with 8K System and Olympic Games”和“Recent Progress on Perovskite Solar Cells and Our Materials Science”的主题演讲。此外，大会还有Development and Future Innovation of TFT Technology、Next-Generation Thin-Film Solar Cells、Thin-Film Materials for Sensing Devices三个讨论会以及一个特别分会："New Driving Technologies。
本次会议中，我实验室发表了6篇学术论文。其中王翠翠的论文“A New AC Biased Pixel Circuit for Active Matrix Organic Light-Emitting Diode Displays” 提出了一种新的OLED为AC偏置的像素电路补偿方案。该像素电路可以补偿TFT和OLED的阈值电压退化，当TFT和OLED的阈值电压变化0.5V时，电路的补偿误差在3%以内。配合分组方案，该像素电路可以用来驱动大尺寸高分辨率的AMOLED显示器。此外，由于OLED是AC偏置的，因此OLED的阈值电压和发光效率的退化都会得到改善，因此提出的像素电路具有重要的学术和应用价值。
卢红娟发表了题为“Comparison of N2 and Ar Plasma Treatment for Source/Drain Formation in Self-Aligned Top-Gate Amorphous InGaZnO Thin Film Transistor” 的论文。文章采用N2 plasma处理IGZO薄膜源漏两端来制备了自对准顶栅IGZO TFT，系统地对比了N2 plasma处理和通用的Ar plasma处理的自对准顶栅IGZO TFT的一系列基本性能，结果表明N2 plasma处理不仅可以有效地降低IGZO薄膜的电阻，而且N2 plasma处理的器件还拥有可以和Ar plasma处理的器件相比拟的电学性能以及更优的应力稳定性。从而可以得出结论：N2 plasma处理也是另一种处理自对准顶栅IGZO TFT源漏的简单而有效的方法。
在任重阳的文章“The Impact of PH value on the Peformance of Back Channel Etch Thin Film Trabsistor”中，把氨水作为背沟道腐蚀IGZO TFT源漏腐蚀液的添加剂，通过调节腐蚀液的PH值，得到了性能良好的IGZO TFT.器件在真空中的应力稳定性良好，阈值电压漂移小于0.5V。
肖宇翔的论文是“Oxygen Partial Pressure and Annealing Temperature Influence on the Performance of Back-Channel-Etch Zinc Tin Oxide Thin Film Transistors”。针对ZTO材料的化学稳定性难以刻蚀的问题，论文提出了一种制备背沟道刻蚀（BCE）型氧化锌锡（ZTO）薄膜晶体管的方法，并讨论了氧分压和退火温度对该器件的影响，分析了这些影响产生的原因，最后用优化条件制备出了性能与剥离工艺媲美的BCE型ZTO TFT。
巨鑫的论文“Estimation of Threshold Voltage Shift in a-IGZO TFTs under Different Bias Temperature Stress by Improved Stretched-Exponential Equation”主要研究了底栅交叠刻蚀阻挡型非晶IGZO TFTs阈值电压漂移退化。系统的给出了改进的延展指数模型及其参数提取方法，测试结果与模型计算结果在不同栅偏置电压及衬底温度下较好地吻合，验证了提出的模型可以较好地预测给定正向偏置应力电压和衬底温度条件下非晶IGZO TFTs阈值电压漂移量。
张满的论文“Characteristics of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film-transistors with channel layer deposited by bias sputtering”提出了一种新型BCE IGZO的制备方法—偏压溅射法，和传统的制备方法相比，TFT器件的有源层使用偏压溅射的方法制备，即在有源层溅射过程中，衬底施加负偏压，从而吸引腔体内电离的氩离子以及阳离子撞击衬底表面，一方面可以将衬底表面的弱键离子以及气体离子撞击出表面，另一方面使淀积到表面的离子具有更强的动能横向运动，使离子间结合更加紧密，从而得到更加致密的有源层薄膜。通过实验结果分析发现偏压溅射法得到的BCE TFT具有更强的稳定性，在PBS和NBS下，相比没有施加衬底偏压的器件，阈值电压漂移更小。
通过参加此次会议，实验室的同学们更加深入的了解了显示行业的现状与发展。通过与行业内研究者的交流，丰富了自己的见识，更触发了灵感，对于我实验室今后研究工作的开展具有一定的启发及指导意义。
