2012 EDSSC学术会议
12月3日至5日，第八届电子器件与固态电路国际会议（2012 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID STATE CIRCUITS，EDSSC）在泰国曼谷朱拉隆功大学召开，本次会议是由Electrical Engineering Department( Chulalongkorn University)、IEEE Thailand Section、IEEE Electron Device Society、IEEE ED/SSC Hong Kong Chapter共同举办的国际性学术盛会。会议为世界优秀的青年学者提供自由讨论、交流观点的学术平台。在本届学术会议上，来自世界各地的学者围绕“电子器件和固态电路”这一主题共同探讨、研究这一领域的前沿性研究成果。
（会议地点：朱拉隆功大学）
此次学术会议总共收到世界各地18个国家的250篇投稿，其中140篇被收录，主要涉及到了Bioelectronics、Communication Circuits、Device Reliability、Digital Circuits、MEMS、Power Electronics、Advances in Nanoelectronics、Analog Circuits、Nanoelectronics、ESD and Power Devices、CMOS Devices and Technology、Photonics and Optical Applications等领域。在3日上午的开幕式上，Prof. Juin J. Loiu做了欢迎致辞，向与会人员讲述了此次会议选择在朱拉隆功大学召开的原因，介绍了此次会议收录的论文数目及内容，此外，特别提出了12月5日是泰国国王的85岁生日，真诚的向泰国国王祝寿，也希望参会人员能够在参加会议之余，游览一下沉浸在盛大节日之中的曼谷，品尝这里的美食、欣赏这里的古老建筑、感受这里的风土人情。
在此后的大会特邀报告Keynote Speech中，来自University of California(USA)的Prof. Paul Yu做了关于基于GaN微波功率二极管的设计的报告、来自Mahanakorn University of Technology(Thailand)的Prof. Sitthichai Pookaiyaudom做了名为“电子工程师需要更多的量子力学知识”的报告、来自National Chiao Tung University(Taiwan)的Prof. C. Y.Chang做了关于第一个平型蓝光垂直腔表面发射激光器（VCSELs）的报告。权威的教授与年轻的学者们进行了深入的交流，从他们的报告中，我们了解到了相关领域的研究进展情况。
在接下来的ORAL及POSTER部分，我们也积极参与了与自己课题相关的报告中：
王玲——“Modeling hot-carrier-induced reliability of nanoscale circuits”
（王玲ORAL PRESENTATION现场）
12月3日下午是device reliability专题，来自各个国家的小组提供了7场可靠性报告， Skyworks Solution 的Hong Yin和Crosslight Software的Simon Li提供了HEMT击穿模型和栅漏电流的报告，Peking University的L.F.Liu讲解了RRAM的set/reset 转变模型，Universiti Teknologi PETRONAS的N.S.S.Singh评估了电路的各种可靠性评估方法，Dongbu Hitek的Hee-dae Kim探讨了深沟道隔离工艺引起的陷阱俘获和结击穿可靠性模型，IBM的R. D. PRABHU讨论了多晶硅电阻的温度系数变化的机理。
王玲的报告是第5场，主要讲的是poly-Si TFT热载流子应力引起的可靠性模型。这场报告首先介绍了poly-Si TFT的优缺点，指出热载流子应力引起的电流退化是poly-Si TFT重要的可靠性问题之一。随后通过分析poly-Si 能带中的各种trap的特点推断带尾态陷阱浓度的变化为可靠性的主导机理。最后借助数值模拟和a-Si TFT的公式建立了带尾态陷阱浓度随退化时间变化的模型，这个模型可以很好的预测多晶硅TFT中热载流子应力引起的电流退化。与会人员对这篇报告很感兴趣，对模型参数的提取以及建立进行了提问，会场主席还建议探讨一下栅漏电流的退化。
与我们课题相关的是IBM小组的代表，他们在会议上做了有关多晶硅电阻温度系数的报告，并在会后与我们就多晶硅陷阱变化的物理机理进行了详细讨论。
邓伟——“Comparative study of a-IGZO TFTs deposited by RF and DC sputtering”
（邓伟ORAL PRESENTATION现场）
（田宇ORAL PRESENTATION现场）
关于Thin film transistor专题，一共只有3场报告，都是来自北大的学生，分别是刘驰（王玲代）、田宇和邓伟。
刘驰的报告则是关于多晶硅的Kink效应的，主要讲的是陷阱浓度、晶粒大小和晶界的分布的影响。田宇和邓伟的研究方向完全相同，都是关于IGZO TFT的，器件的基本结构也都相同，都是常规的底栅顶接触结构（BGTC），工艺的步骤也基本相同。不同的是，田宇的器件图形都是通过剥离形成，并且栅介质和有源层使用同一张光刻版。他在报告中主要涉及的是在沟道层，也就是IGZO的溅射过程中，通氧量对器件性能的影响，主要分析了通氧量与开态电流的负相关性。而邓伟报告的侧重点则是溅射过程中，供电方式（RF和DC）对器件性能的影响，并通过对薄膜的一些表征（AFM）来简要的对结果进行分析。会上大家还讨论了界面对器件性能的影响。
通过这次会议报告的交流我们发现以前做过的很多实验，都没有仔细对结果进行分析，尤其是出现异常结果的器件，应该尝试着分析一下原因和机理。
郑灿——“Design of driving transistor in a-Si:H TFT gate driver circuit”
（郑灿POSTER现场）
POSTER部分是在会议第二天的下午进行，时长1个小时，会场总共贴出32张POSTER。在POSTER展示上，我们在展示自我科研成果的同时，也结识了来自兄弟院校上海复旦大学与成都电子科技大学的同学，与他们互相交流了各自研究的方向与内容，增长了知识与见识。
兄弟实验室的科研成果展示
来自北京大学兄弟实验室的同学在ORAL PRESENTATION 及POSTER部分也展示了他们的学术研究进展，他们实验室小组围绕加速度计系统做了以下工作：分析了加速度计系统的线性度与系统的时序参数之间的关系；分析了MEMS传感器的不对称性对连续时间结构加速度计和分时反馈结构加速度计线性度的影响；提出了一种从连续域到离散域转换的方法，指导设计离散时间的开关电容加速度计设计，并给出了他们的设计芯片及测试结果。
（兄弟实验室ORAL PRESENTATION现场）
EDSSC会议之行——风土人情的体验
在EDSSC会议的晚宴上朱拉隆功大学的女学生们给我们带来了具有当地民族特色的舞蹈表演，并邀请与会人员参与其中，让我们感受到了当地人们的热情。会议最后一天，恰好是泰国国王的85岁生日，会议组织与会人员观看了为庆祝泰国国王生日举办的剧场演出，演出生动讲述了泰国的历史、动人的神话故事、及当地的风俗。在会议的空闲时间我们也去游览了泰国曼谷著名的旅游圣地大皇宫、郑王庙、湄南河，逛了一下泰国的购物广场MBK、暹罗广场、考山路，感受到了与中国不同的购物天堂。
（晚宴上与朱拉隆功大学的女学生们的合影）
