IEEE EDL 三月刊发表我实验室论文

 国际微电子领域权威期刊IEEE Electron Device Letters今年第四期刊登了我实验室论文“Back Channel Anodization Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin-Film Transistors Process”（文章链接：http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=7050314&tag=1）。

 金属氧化物TFT因其优异的电学特性近年来成为研究的热点。作为一种最典型的金属氧化物TFT，铟镓锌氧TFT（IGZO TFT）被研究得最为全面和深入，也被认为是最有可能取代传统硅基TFT成为下一代主流的平板显示TFT array技术。IGZO TFT工艺中，IGZO有源层对常规的酸碱腐蚀液非常敏感，以致于将低成本背沟道刻蚀型（BCE）结构/工艺应用于IGZO TFT工艺时面临巨大挑战；而刻蚀阻挡层（ESL）结构/工艺会显著增加IGZO TFT工艺成本和寄生电容，同时器件scaling down和面板集成密度及显示分辨率的提高也难于实现。

针对IGZO TFT工艺的上述问题，本论文提出背沟道金属阳极氧化工艺（BCA IGZO TFT）解决方案。BCA工艺的核心思想是采用阳极氧化法（anodization）局域化处理IGZO沟道区之上的金属层得到绝缘保护层，该保护层能有效保护IGZO，避免后续工艺及环境气氛对IGZO TFT的电学性能造成不利影响；同时，位于沟道区外的金属未被氧化而成为源漏电极。采用BCA工艺制备的IGZO TFT得到了较好的电学性能及优于常规IGZO TFT的稳定性。同时，BCA工艺成本低，和柔性衬底也具有非常好的工艺兼容性，所以，BCA工艺在玻璃基底和柔性基底IGZO TFT阵列工艺中都具有非常广阔的应用前景。

该论文的第一作者为博士生肖祥同学，共同作者还包括邵阳、贺鑫、邓伟、张乐陶等博士生和张盛东老师，在此向他们表示祝贺。此项研究是在深圳薄膜晶体管与先进显示（Shenzhen TFT and Advanced Display Lab）重点实验室完成，受NSFC（61274084）和 深圳科技计划（JCYJ201208170028532）项目的资助。