薄膜晶体管与先进显示重点实验室
Thin Film Transistor and Advanced Display Lab

IEEE TED 十一月刊发表我实验室论文

时间:2017-01-23

        国际微电子领域权威期刊IEEE Transactions on Electron Devices 2016年11月刊登了我实验室论文“Analytical Drain Current Model for Organic Thin-Film Transistors at Different Temperatures Considering Both Deep and Tail Trap States”(文章链接:https://doi.org/10.1109/TED.2016.2612679)

         有机薄膜晶体管(OTFT)与其他种类TFT相比,能够在室温下制造,具有低成本的优势,特别适用于不耐高温的柔性衬底,是新一代柔性显示的候选者。基于器件物理建立解析的电流模型,一方面有利于深入理解OTFT中的载流子输运机制,另一方面有利于开发高效的电路仿真工具。有机材料带隙中存在着大量的陷阱态,直接影响器件的电流电压特性。论文从有机材料带隙中指数分布的深能态和带尾态密度出发,假设被陷阱态俘获的载流子浓度远大于自由载流子浓度,基于载流子扩散理论,推导出了OTFT的电流模型,该模型能精确表征不同温度下的电流特性,并发现该温度效应主要是由自由载流子浓度的温度效应决定。与传统的基于变程跳跃(Variable-Range Hopping)理论的电流模型相比,本论文提出的模型在大的温度范围内(80 K-300 K),具有更高的精度。

         该论文的第一作者为何红宇博士(后),此项研究是在深圳TFT与先进显示重点实验室完成,受NSFC (61574003)和深圳科技计划(JCYJ20160510144204207)等项目的赞助。论文共同作者还有刘远、严炳辉、林信南、郑学仁、和张盛东老师。