薄膜晶体管与先进显示重点实验室
Thin Film Transistor and Advanced Display Lab

Journal of Vacuum Science & Technology A第五期发表我实验室论文

时间:2016-09-21

         国际真空科技领域期刊Journal of Vacuum Science & Technology A今年第五期刊登了我实验室论文:”Structure and stoichiometry evolution of sputtered Nb doped TiO2 films induced by O2 pressure variation during postannealing process”(论文链接:http://dx.doi.org/10.1116/1.4961538

        自从1972年Fujishima等发现了TiO2的光催化特性后,TiO2的研究就越来越受到人们的广泛关注,研究领域也从光伏、光催化发展到光致电致变色、传感器、太阳能电池等领域。TiO2还有一个重要应用领域就是透明导电氧化物(TCO)薄膜领域,一般可以用Nb来作施主型替位杂质,形成TiO2:Nb透明导电薄膜。多晶的TiO2:Nb电阻率仅能达到~1×10−3 Ω cm,且由于TiO2折射率较大(~2.4),使得其可见光区的平均透过率较低,因此在常规的TCO应用中并不占优势。但TiO2在一些特定的领域(如染料敏化太阳能电池、III-V族半导体光电器件)具有比其他TCO材料更大的优势,因此受到了人们的广泛关注。该论文研究了TiO2:Nb薄膜的结构和成份随退火过程中O2气压的变化,结果表明退火过程中合适的O2气压有助于增大晶粒尺寸、提高迁移率、改善化学配比。

        该论文的第一作者为博士生张乐陶,此项研究是在深圳TFT与先进显示重点实验室完成,受NSFC (61574003)和深圳科技计划(JCYJ20140417144423195)等项目的赞助。论文共同作者还有肖祥、周晓梁、何红宇、徐心、林清平、周航和张盛东老师。