薄膜晶体管与先进显示重点实验室
Thin Film Transistor and Advanced Display Lab

PECVD说明书

时间:2013-06-28

 

一、开各系统电源:

1、打开壁挂电控柜中PECVD、scrubber空开

2、打开尾气处理的加热开关(电流表示数上升,加热丝开始加热)

3、打开循环水电源、水泵开关、压缩机开关

4、打开PECVD电源开关,打开匹配器电源开关。

二、打开气路:

1、打开PECVD气柜中的SiH4、N2O、N2的手动阀

2、打开气柜外的SiH4隔膜阀、N2O球阀

3、打开N2O钢瓶阀门,打开特气柜中的SiH4钢瓶阀门。

三、开腔过程:

1、打开手动放气阀充气

2、待气体开始从腔体冒出或电阻规真空计稳定在>9.9*104 Pa,关闭手动充气阀,再升盖

3、把样品放在对应托盘上,并将托盘固定在加热盘上

4、降盖。

四、开机过程:

1、打开计算机

2、打开PECVD控制程序

3、打开VAT蝶阀控制程序,点击local、open,使VAT蝶阀全开

4、打开机械泵

5、打开电磁隔断阀II

6、打开手动抽气阀

7、待真空抽到500 Pa以下,开启罗茨泵

8、待真空抽至8 Pa以下,关闭手动抽气阀

9、关闭罗茨泵

10、关闭电磁隔断阀II

11、打开电磁隔断阀I

12、启动分子泵,使分子泵开始升转

13、打开手动闸板阀

14、在计算机上设置加热温度到预设值,并点击”ready”开始加热

五、工艺流程:

1、待真空抽至9*10-4 Pa以下,加热温度稳定后,打开射频电源预热,并调节功率至30 W(每天的第一炉或腔室冷却了2小时以上,加热稳定的时间需加长,最好稳定半小时左右)

2、关闭手动闸板

3、关闭电磁隔断阀I

4、打开电磁隔断阀II

5、打开罗茨泵

6、点击电离真空计”手动”按钮关闭电离真空计

7、打开供气的手动截止阀

8、待电阻真空计显示1.0E-1或手动开启关闭一次N2气路的电磁阀,使腔室内的气压大于罗茨泵抽真空极限

9、打开手动抽气阀

10、调节scrubber的CDA流量计和N2流量计分别至50 L/min、10 L/min,打开scrubber水循环系统电源

11、选择适合的工艺程序并运行

12、待工艺程序运行至通入SiH4后将VAT蝶阀位置调至所需值(一般为400),使气压稳定在~130 Pa

13、待工艺程序运行至镀膜时间后,立即点击射频电源上的”ON”按钮开始起辉

14、镀膜时间结束后立即点击射频电源的”OFF”按钮关闭射频起辉

15、点击VAT蝶阀的”OPEN”按钮

16、等工艺程序运行结束后,关闭scrubber水循环系统、关闭CDA、N2流量计

17、停止加热丝加热

18、关闭供气的手动截止阀,关闭手动抽气阀,关闭罗茨泵

19、打开手动放气阀充入N2,充至6*104 Pa后关闭放气阀,使样品在N2条件下冷却

20、当温度稳定降至200oC后,打开手动放气阀将腔室充至大气压后即可开盖取样品

六、关机流程:

1、将腔室真空抽至1*10-2 Pa以下,关闭手动闸板阀

2、关闭分子泵,使其降转

3、待分子泵降转结束后,关闭电磁隔断阀I和机械泵

4、关闭计算机

5、关闭射频电源及射频匹配器

6、关闭PECVD电源

七、关闭气路:

1、关闭PECVD气柜中的SiH4、N2O、N2的手动阀

2、关闭气柜外的SiH4隔膜阀、N2O球阀

3、关闭N2O钢瓶阀门,关闭特气柜中的SiH4钢瓶阀门。

八、关闭各系统电源:

1、关闭冷却循环压缩机开关水、水泵开关、电源

2、关闭尾气处理的加热

3、关闭壁挂电控柜中PECVD、scrubber空开

九、注意事项:

1、本设备大部分为手动控制,并且无任何互锁,所以自行操作之前必须完全了解各流程的工作过程,禁止在不了解工作过程情况下只根据本说明进行操作

2、工艺气体涉及SiH4,因此供气、尾气处理方面的操作,最好让设备负责人、学生负责人或熟悉该设备的学生操作。

3、该设备目前有两个问题:计算机界面上的供气电磁阀I和电磁阀II的对调、SiH4流量计示数是实际流量的1/4。但均与学生使用无关。

4、scrubber的水循环系统3~4天需放一次水,否则循环水会堵塞排气管路,堵塞后scrubber压差计会变正压,机械泵与scrubber之间的波纹管会剧烈跳动,因此工艺过程中起辉时最好时常关注机械泵与scrubber之间的波纹管