【交流】实验室师生赴日本横滨参加2025年固态器件与材料国际会议

2025年9月15日至18日，固态器件与材料国际会议（SSDM 2025）在日本横滨举行。实验室由张盛东、陆磊等老师带领博士生刘梦然与硕士生付树恒、吕志豪一同参加了此次国际学术盛会。

会议期间，实验室师生积极参与学术交流。硕士生付树恒作了题为“High-Performance Thin-film Transistors Based on IGZO Homojunctions with Electrically Tunable Threshold Voltage”的口头报告，系统介绍了其在阈值电压调控方面的研究工作。

硕士生吕志豪在题为“High-Performance Nanoscale Self-Aligned Top-Gate Indium Oxide Thin-Film Transistors with Ti/Au Source/Drain Electrodes”的口头报告中，展示了其在纳米尺度器件集成方面的进展。

博士生刘梦然则通过“BEOL-Compatible Self-Aligned Dual-Gate ALD InZnO TFT”的简短口头汇报，介绍了其在后道工艺兼容双栅晶体管技术方面的探索。这些报告从材料、器件结构到集成工艺等方面，展现了实验室在薄膜晶体管领域的研究广度，引发了与会者的关注。

这些研究工作系统展示了实验室在氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）技术领域的最新进展，报告内容新颖、数据详实，引发了与会各国学者的浓厚兴趣和热烈讨论。多位国际同行在会后与团队成员进行了深入交流，并就未来可能的合作研究方向提出了宝贵的建设性意见。

参会期间，团队成员还积极聆听了多场高水平的大会主题报告和分会场报告，广泛了解了新型TFT材料与器件技术在内的全球最新研究动态和发展趋势，拓宽了学术视野。

通过本次会议，实验室成员不仅向国际学术界展示了阶段性研究成果，获得了宝贵的同行反馈，也深入了解了领域内的最新发展趋势与技术挑战。这对于检验研究成果的学术价值、启发后续科研方向、提升团队的国际化学术交流能力都具有积极的推动作用。