黄如院士

研究方向： SOI技术；纳米尺度半导体新结构逻辑和存储器件；模型模拟及射频相关技术等

简介：
2006年获国家杰出青年科学家基金，现为《中国科学》副主编、信息产业科技发展“十一五”计划和2020年中长期规划编制专家组专家；中国电子学会半导体与集成技术分会委员会委员；专业国际核心期刊”IEEE Transactions on Electron Devices”的editor。

现主要从事新结构、新工艺器件研究以及射频电路相关技术研究。主持了国家973课题、863课题、国家杰出青年基金项目、国家自然基金重点项目和面上项目、电子预研等多项国家项目。

在纳米尺度新结构器件、新工艺技术、器件可靠性、射频元器件及相关电路技术等方面取得了若干创新成果，提出了面向不同应用和不同集成电路技术代的新型准SOI 器件、垂直双栅器件、BOI FinFET结构、基于传统微电子加工方法的围栅纳米线器件、VDNROM和DDFG闪存器件等新器件技术；主持研究了DTV射频调谐器和RF ID相关技术的开发。

已合作出版著作4本，发表论文200余篇。获得26项授权发明专利，获专利申请号的发明专利22项。

曾获北京市科学技术发明一等奖、教育部科技进步一等奖、中国青年科技奖、教育部霍英东青年教师研究奖、中国青年女科学家提名奖、教育部新世纪优秀人才计划等部委级奖励。