镀膜设备
发布时间：2025-01-17 ，
- 等离子增强化学气相沉积&反应离子刻蚀机系统
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- 厂商：台湾矽基科技有限公司
- 型号：SKE102012 PECVD & RIE
- 简介：设备包括PECVD系统及RIE系统，两个系统公用一套电源系统，设备自动化程度高，操作方便，PECVD可用于在基片上沉积SiO2、Si3N4等介质薄膜，RIE(反应离子刻蚀)设备兼有物理和化学作用对各种金属、氧化物膜等进行刻蚀，设备配有O2，N2O,NH3，CF4，SF6，SIH4,H2等气体供选择进行长膜或者刻蚀。
- 等离子体增强化学气相沉积仪
- 厂商：Oxford
- 型号：PlasmaPro 100PECVD
- 简介：高质量PECVD沉积氮化硅 和 二氧化硅 用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途。PlasmaPro 100 PECVD delivers excellent conformal deposition and low particle generation due to electrode temperature uniformity and shower head design in the electrode, allowing RF energy to produce the plasma. The high energy reactive species of plasma offers high deposition rates to achieve the desired thickness of the substrate while maintaining low pressure. Its dual frequency 13.56MHz and 100KHz power applied to upper electrode enables stress control and film densification
- ALD原子层沉积机
- 厂商：SuperALD
- 型号：PEALD
- 简介：
设备规格
工艺温度：温度范围：RT~500°C
前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃
反应物路数：支持2路反应物气路
载气：标准：N2, MFC 流量控制等离子体系统：支持4路等离子体气体
射频功率：0~1000W
压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr
本底真空度：<5x10-3 Torr
真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展
操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃
- 磁控溅射台
- 厂商：金盛微纳
- 型号：Msp3200
- 简介：本设备为两室真空系统。其中一室为进样取样室，另一室为溅射室。它是一个带load-lock的全自动设备。它主要由真空系统、气路系统、电气系统、射频、直流电源及直流脉冲电源系统、加热系统、冷却系统、送取片机构、报警系统、自动控制系统等组成。极限真空：溅射室真空度极限≤6.6×10-5Pa。进样室真空度极限≤6.6×10-1Pa。系统漏率: 停泵关机12小时后，溅射室真空度可达≤1Pa。系统抽速: 溅射室从送完样片后开始抽气，≤40分钟内，溅射靶数量、规格及安装形式：溅射不均匀性: Φ100mm范围内≤±5%。样品转台: 可放置Φ100mm样片一片。（或小片多片）
- 电子束镀膜
- 厂商：矢量科学
- 型号：SL755
- 简介：电子束蒸发镀膜是一种在高真空条件下利用电子束轰击材料加热蒸发，从而在衬底上镀制薄膜。是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术。可蒸发很多难熔金属或者蒸汽压低的金属材料，包括Ti、Al、Au、Ag、Ta、W、Mo等。
- 1.膜层制备系统：采用304不锈钢腔体；尺寸（L×W×H mm)：850mm*850mm*600mm，配有观察窗。
2.基底尺寸：最大6英寸。
3.真空系统：配前级泵和分子泵；
4.极限真空：≤6.0x10-7 Torr。
4.样品传输腔：全自动基片传送。
6.蒸发系统：两个电子枪，电子枪功率10kW；加速电压6-10kV可调；坩埚的数目12个。
7.薄膜厚度监控：配3个晶振探头，膜厚仪监控薄膜厚度。
8.膜厚均匀性优异：±5%
9.自动传输样品台：全自动基片台升降自动交接旋转和定位。
10.工艺控制：PC/PLC机制的自动控制，全自动存储镀膜工艺，全自动取/送样品，一键式操作。
