NEL实验室张娇娜同学是2016级硕士研究生，由天津工业大学保送到北京大学信息工程学院微电子学与固体电子学。在研究生一年级学年综合测评中名列前茅，发表一篇B区会议，该成果主要内容为利用碳纳米管的电子高传输性提升IGZO薄膜晶体管的迁移率。本工作采用了Langmuir-Blodgett 方法制备碳纳米管阵列以嵌入a-IGZO沟道，该方法将a-IGZO薄膜晶体管的迁移率从1 cm2/Vs提升到4 cm2/Vs通过与碳纳米管网络和a-IGZO混合薄膜晶体管相对比，碳纳米管阵列混合薄膜晶体管拥有更优良的电学性能。该工作提升了IGZO器件的性能，为未来先进电子提供了高速晶体管的解决方法。
