恭喜戴天骄同学在知名期刊Nanoscale上发表封面期刊论文

恭喜戴天骄同学在Nanoscale杂志发表了题为"Unveiling the influence of surrounding materials and realization of multi-level storage in resistive switching memory"封面期刊论文

文章网页链接: https://doi.org/10.1039/d0nr05900e

文章简介：本篇文章通过在RRAM器件周围引入具有相对较高介电常数的材料，实现了RRAM多级存储功能和可伸缩性。通过该原理设计的器件表现出多种不同的非易失性电导状态。而且，还解决了器件微缩时形成电压升高的问题，提高了芯片的容量，并减小了器件小型化过程中的功耗。COMSOL仿真可以佐证提高的性能与导电细丝周围更集中的电场有关，这有利于控制电阻丝的连接和断裂。因此，在我们的研究中，正确设计的周围材料RRAM器件在改善RRAM的性能和扩展其应用可能性方面显示出巨大的希望。