恭喜胡罗丹同学在知名期刊Nanoscale发表期刊封面论文

恭喜胡罗丹同学在Nanoscale杂志发表了题为"Low-temperature supercritical dehydroxylation for achieving an ultra-low subthreshold swing of thin-fi lm transistors"的封面期刊论文

文章网页链接：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2021/NR/D0NR08208B

文章简介：

薄膜晶体管（TFT）已广泛应用于日益先进的显示器领域。然而，TFT在快速开关和高速应用中克服较差的亚阈值摆幅仍然是一个挑战。在这里，我们通过超临界脱羟基为上述挑战提供了一种解决方案，它将低温、环保的超临界流体技术与 CaCl₂处理相结合。首次制造了具有包含Ta₂O₅和SiO₂层的双层高k电介质的非晶铟镓锌氧化物 (a-IGZO) TFT的嵌入式结构。用超临界脱羟基处理的制造的TFT的亚阈值摆动被优化到72.7 mV dec^-1的超低值。此外，超临界脱羟基后，阈值电压、开/关比和场效应迁移率等其他关键指标均得到改善。由于电流传导机制验证的超临界脱羟基，栅极介电材料的带隙增加。此外，大量材料分析进一步证实，由于超临界脱羟基，主要的脱水反应可以有效修复器件制造中引入的缺陷。通过低温超临界脱羟基处理可以实现具有优化电性能的超低亚阈值摆动，使其在实现超快和低功率电子器件方面具有广阔的潜力。