恭喜戴天骄同学在知名期刊Applied Physics Letters发表期刊论文

恭喜戴天骄同学在JCR二区国际期刊Applied Physics Letters上发表了题为"The observation of Gaussian distribution and origination identification of deep defects in AlGaN/GaN MIS-HEMT"的期刊论文

文章网页链接：https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0088928

文章简介：

本文提出了一种数学-物理相关方法，通过电测量监测深度缺陷响应，并通过设计的数学处理计算状态密度。根据状态密度的理论模型讨论了提取的深层缺陷的高斯分布。 该方法的准确性也通过1/f低频噪声分析得到验证。 通过透射电子显微镜、X射线光电子能谱和光致发光分析研究了深部缺陷的起源，并构建了分子模型。因此，结合电学测量、数学数据处理和材料分析，从多个角度研究了深部缺陷，为今后全面研究GaN基器件的深部缺陷提供了启示。