恭喜郑斐同学在知名期刊Advanced Materials Technologies发表期刊论文

恭喜郑斐同学在一区国际期刊Advanced Materials Technologies上发表了题为" Self-Alignment Embedded Thin-Film Transistor with High Transparency and Optimized Performance"的期刊论文

文章网页链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/admt.202200879

文章简介：

非晶氧化物半导体薄膜晶体管（AOS TFT）在日益先进的透明和柔性电子器件的应用中显示出巨大的潜力，这些器件对高速、高透明度和低功耗的要求很高。然而，大多数TFT中使用的典型背沟道蚀刻 (BCE) 配置仍然存在栅极可控性差、电场分散严重、寄生电容和接触电阻相对较大等问题。在这里，在这项工作中提出了一种用于TFT的新嵌入式结构，该结构具有自对准和更简单的制造工艺，在上述方面优于传统的BCE对应物。在嵌入式TFT中实现了更集中的电场、更高的栅极控制能力以及更低的接触电阻。因此，获得了具有106.7 mV dec^-1的亚阈值摆幅和高达32.10 cm² V^-1 s^-1的迁移率的优异电气特性。此外，与传统的BCE结构TFT相比，漏电流和接触电阻明显下降。在Silvaco TCAD仿真的帮助下，从另一个角度交叉验证了其背后的性能和机制。总体而言，这种嵌入式结构为TFT提供了非常吸引人的性能，并且还可以使其他设备利用这种结构获得新的可能性，从而获得更广泛的应用。