恭喜彭泽晖同学在知名期刊Advanced Functional Materials发表论文

恭喜彭泽晖同学在一区国际期刊Advanced Functional Materials上发表了题为"HfO₂-Based Memristor as an Artificial Synapse for Neuromorphic Computing with Tri-Layer HfO₂/BiFeO₃/HfO₂ Design"的期刊论文

影响因子：19.978

文章网页链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202107131

文章简介：

神经形态器件是近来实现人工神经系统并取代传统互补金属氧化物半导体器件的最新兴的电子元件之一。在这项工作中，三层 HfO₂/BiFeO₃(BFO)/HfO₂忆阻器是通过在厚度优化后插入厚度约为4 nm 的传统铁电BFO层来设计的。新颖设计的忆阻器显示出优异的电阻开关（RS）性能，例如10⁴的存储窗口和多级存储能力。值得注意的是，基本的突触功能可以在电导调制的线性基础上成功实现。基于神经形态网络的模式识别仿真，识别准确率高达91.2%。为了探索RS性能增强和人工突触行为，使用高分辨率透射电子显微镜观察了由具有六方晶格结构的铪 (Hf) 单晶组成的导电丝 (CF)。有理由相信，插入BFO薄膜中足够的氧空位在调节Hf导电细丝的形态和生长中起着至关重要的作用，这导致了突触和增强的RS行为，从而证明了这种忆阻器在神经形态计算中的使用潜力。