Thin Film Transistor and Advanced Display Lab

Patents

Patents in 2015
（1）  “金属氧化物薄膜晶体管及制备方法、显示面板和显示器”，张盛东、邓伟、肖祥、贺鑫，PCT/CN2015/081485。
（2）  “金属氧化物薄膜晶体管及制备方法、显示面板和显示器”，张盛东、邓伟、肖祥、贺鑫，PCT/CN2015/081486。
（3）  “一种有机发光二极管面板、栅极驱动电路及其单元”，张盛东、胡治晋、廖聪维、李文杰、李君梅、曹世杰，201510263096.5。
（4）  “栅极驱动电路及其单元和一种显示装置”，张盛东、冷传利、胡治晋、廖聪维，201510201301.5。
（5）  “像素电路及其驱动方法和显示装置”，张盛东、孟雪、冷传利，201510201349.6。
（6）  “低压数字模拟信号转换电路、数据驱动电路及显示系统”，张盛东、冷传利、林兴武，201510200983.8。
（7）  “一种显示装置及其像素电路”，张盛东、王翠翠、冷传利，201510191747.4。
（8）  “移位寄存器及其单元和一种显示装置”，张盛东、胡治晋、廖聪维，201510175217。
（9）  “像素电路及其驱动方法和一种显示装置”，张盛东、王翠翠、冷传利，201510133524.2。
（10）  “显示装置及其像素电路和驱动方法”，张盛东、孟雪、冷传利，201510166414.6。
（11）  “一种可适应负阈值电压的移位寄存器及其单元”，张盛东、胡治晋、廖聪维，201510166414.6。
（12）  “像素电路及其驱动方法和一种显示装置”，林兴武、张盛东、孟雪、冷传利、王翠翠，201510059758.7。

Patents in 2014
（1） “栅极驱动电路及其单元和一种显示器”，张盛东、廖聪维、胡治晋、李文杰、李君梅，CN201410060595.X。
（2） “一种像素电路及显示装置”，张盛东、王翠翠、冷传利，201410058991.9。
（3） “一种像素电路、显示装置及显示驱动方法”，张盛东、王翠翠、冷传利，201410058970.7。
（4） “显示装置及其像素电路和显示驱动方法”，张盛东、冷传利、王翠翠，201410018563.3。
（5） “一种紫外光传感电路及感应系统”，张盛东、廖聪维、胡治晋、李文杰、李君梅，201410079248.1。
（6） “集成栅极驱动电路及具有集成栅极驱动电路的显示面板”，张盛东、胡治晋、廖聪维、曾丽媚、李长晔，2014100262042。

Patents in 2013
（1） “移位寄存器、栅极驱动电路、数据驱动电路及显示器”张盛东、胡治晋、廖聪维，201310014247.4。
（2） “像素电路、显示装置及显示驱动方法”，冷传利、张盛东，201310029695。
（3） “一种底栅薄膜晶体管及其制备方法”，韩德栋、张索明、田宇、单东方、黄福青、丛瑛瑛、王漪、张盛东、刘力锋、刘晓彦、康晋锋，201310018388。
（4） “薄膜晶体管及其制作方法”， 张盛东、邵阳、贺鑫、肖祥，201310130474.3。
（5） “触控单元电路、触控面板阵列和显示面板”，*张盛东、廖聪维、胡治晋，201310385228.2。
（6） “输出放大器、数模转换器、数据驱动电路和显示装置”，*张盛东、廖聪维、胡治晋，201310364285.2。
（7） “一种显示装置及其像素电路”，*张盛东、冷传利、蔡玉莹，201310302511.4。
（8） “一种锁存器电路单元及用于显示装置的数据驱动电路”，*张盛东、廖聪维、胡治晋，201310248196.1。
（9） “移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示器”，张盛东、胡治晋、廖聪维，201310628930.7。
（10） “像素电路及其显示装置和一种像素电路驱动方法”，张盛东、冷传利、王翠翠，201310616783.1。
（11） “薄膜晶体管及其制作方法”，张盛东、邵阳、贺鑫、肖祥，PCT/CN2013/086814。
（12） “移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示器”，张盛东、廖聪维、胡治晋，20131051672。
（13） “一种薄膜晶体管的制备方法”，张盛东、冷传利，201310233880.2。
（14） “一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法”，张盛东、肖祥、迟世鹏、冷传利、邵阳，201310233771。
（15） “源/漏区抬高的顶栅自对准薄膜晶体管及其制作方法”，张盛东、迟世鹏，201310233629.6。
（16） “一种自对准金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法”，张盛东、肖祥、迟世鹏，201310233743.9。
（17） “光学谐振器”，史飞飞、张昭宇、龚欣、廖天驹，CN201310451285.6。
（18） “三维光栅抗反射结构和元器件”，肖登、苏光耀、刘传鸿、张昭宇，CN201310451285.6。

Patents in 2012
（1） “一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法”，韩德栋、蔡剑、王漪、王薇、王亮亮、任奕成、张盛东、刘晓彦、康晋锋，201210008323.6。
（2） “一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法”，王漪、王亮亮、韩德栋、蔡剑、王薇、耿友峰、任奕成、张盛东、刘晓彦、康晋锋，201210050309.2。
（3） “栅极驱动单元电路及其栅极驱动电路和显示装置”，张盛东、廖聪维、郑灿、胡治晋，201210428015.9。
（4） “一种在柔性衬底上的薄膜晶体管的制备方法”，韩德栋、王薇、蔡剑、王亮亮、耿友峰、刘力锋、王漪、张盛东、刘晓彦、康晋锋，201210213660。
（5） “一种像素电路、显示装置及其驱动方法”，张盛东、冷传利，201210288665.8。
（6） “栅极驱动电路单元、栅极驱动电路及显示器”，郑灿、张盛东，201210277113.7。
（7） “栅极驱动单元电路及其栅极驱动电路和一种显示器”，张盛东、廖聪维、郑灿、戴文君、钟德镇、简庭宪，201210261410.2。
（8） “驱动电路单元、栅极驱动电路及显示装置”，张盛东、郑灿、廖聪维、陈韬、刘晓明、戴文君、钟德镇、简庭宪，201210086229.2。
（9） “一种等离子体激光器”，刘旭东、张昭宇、郭思尧、苏光耀、肖登，CN201210566307.9。
   

Patents in 2011
（1） “一种FinFET晶体管的制作方法”，张盛东、韩汝琦、韩德栋，201110001128.6。
（2） “一种薄膜晶体管的制作方法”，张盛东、贺鑫、王漪、韩德栋、韩汝琦，201110020661.7。
（3） “一种自对准薄膜晶体管的制作方法”，张盛东、贺鑫、王漪、韩德栋、韩汝琦，201110020672.5。
（4） “栅极驱动电路单元及栅极驱动电路”，张盛东、廖聪维、陈韬、刘晓明、戴文君、钟德镇、简庭宪,201110108543.1。
（5） “一种栅极驱动电路及显示装置”，张盛东、廖聪维、陈韬、刘晓明、戴文君、钟德镇、简庭宪, 201110192502.5
（6） “一种氧化亚铜薄膜晶体管及其制备方法”，姚建可、张盛东, 201110194121.0。
（7） “一种双极性薄膜晶体管及其制备方法”，姚建可、张盛东，201110206404.2。
（8） “一种非晶薄膜晶体管及其制备方法”，姚建可、张盛东，201110213610.6。
（9） “一种塑料衬底上制备薄膜晶体管的制备方法”，韩德栋、王薇、蔡剑、王漪、张盛东、王亮亮、任奕成、刘晓彦、康晋锋，201110406897.4。
（10） “一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法”，王漪、蔡剑、王薇、韩德栋、王亮亮、任奕成、张盛东、刘晓彦、康晋锋，201110401730.9。
（11） “一种显示装置及其数据驱动电路”，张盛东、廖聪维、陈韬、刘晓明，201110426361.9。
（12） “一种数据驱动电路及其显示装置”，张盛东、廖聪维、陈韬、刘晓明，201110420833.X。
（13） “一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法”，韩德栋、蔡剑、王薇、王亮亮、王漪、张盛东、任奕成、刘晓彦、康晋锋，201110423372.1。
   

Patents in 2010
（1） “栅极驱动电路单元、栅极驱动电路及显示装置”，张盛东、廖聪维、何常德、戴文君，201010111791.7。
（2） “一种像素电路及显示设备”，张盛东、王龙彦、梁逸南, 201010189511.4。
（3） “一种像素电路及显示设备”，张盛东、王龙彦、梁逸南,201010204015.1。
（4） “一种源极驱动电路及显示设备”，张盛东、梁逸南、王龙彦,201010211257.3。
（5） “二次光刻制备薄膜晶体管的方法”，韩德栋、王漪、张盛东、孙雷、张韬、任奕成、康晋锋、刘晓彦、韩汝琦，201010504099。
（6） “一种氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法”，韩德栋、王漪、张盛东、孙雷、张韬、任奕成、韩汝琦,201010275718.3。
（7） “一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管”，韩德栋、王漪、张盛东、孙雷、张韬、任奕成、康晋锋、刘晓彦、韩汝琦，201010547529.7。
（8） “一种晶体管的制造方法”，张盛东、贺鑫、王龙彦, 201010568303.5。
（9） “高K金属栅MOS晶体管的制造方法”，张盛东、韩汝琦、韩德栋，201010616358。
（10） “一种纳米线及纳米线晶体管的制作方法”，张盛东、黄如、韩汝琦，201010616358.9。
（11） “半导体精细图形及鳍形场效应管的FIN体的制作方法”，张盛东、黄如、韩汝琦，201010612857.0。
   

Patents in 2009 and before
（1） “一种半导体快闪存储器及其制备方法”，张盛东、陈文新、刘晓彦、韩汝琦、王阳元， ZL 03137019.5。
（2） “背栅MOS晶体管及其制作方法和静态随机存储器”，张盛东、陈文新、黄如、刘晓彦、张兴、韩汝琦、王阳元，ZL 03137020.9。
（3） “一种互补金属氧化物半导体集成电路及其制备方法”，张盛东、陈文新、刘晓彦、黄如、张兴、韩汝琦，03137743.2。
（4） “一种双栅金属氧化物半导体晶体管及其制备方法”，张盛东、陈文新、黄如、刘晓彦、张兴、韩汝琦、王阳元，03137771.8。
（5） “一种源漏下陷型超薄体SOI MOS 晶体管及其集成电路的制作方法”，张盛东、陈文新、张志宽、韩汝琦，200310103424.2。
（6） “一种位于SOI衬底上的CMOS电路结构及其制作方法”，张盛东、陈文新、吴旭升、韩汝琦，200410009317.8。
（7） “一种体硅MOS晶体管及其制作方法”，张盛东、陈文新、张志宽、韩汝琦， 200410009320.X。
（8） “一种源漏位于绝缘层上的MOS晶体管的制作方法”，李定宇、张盛东、柯伟、孙雷、韩汝琦，CN200510086323.8。
（9） “一种源漏位于绝缘层上的MOS晶体管的制作方法”，张盛东、李定宇、柯伟、孙雷、韩汝琦，CN200510086324.2。
（10） “一种部分耗尽的SOI MOS晶体管及其制作方法”，张盛东、李定宇、韩汝琦、王新安、张天义，200610072506.9。
（11） “一种肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法”，李定宇、孙雷、张盛东、刘晓彦、韩汝琦，200510130001.9。
（12） “一种部分耗尽SOI结构的MOS晶体管及其制作方法”，张盛东、李定宇、韩汝琦、王新安、张天义， 200610103561.X。
（13） “一种不对称肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法”，孙雷、李定宇、张盛东、吴涛、韩汝琦、刘晓彦，200610140390.8。
（14） “一种MOS晶体管及其制作方法”，孙雷、李定宇、张盛东、吴涛、韩汝琦、刘晓彦，200610140391.2。
（15） “一种利用外延方法制备鳍形场效应晶体管的方法”，张盛东、李定宇、陈文新、韩汝琦，200710122156.7。
（16） “一种部分耗尽的SOI MOS晶体管的制备方法”张盛东 李定宇 陈文新 韩汝琦，200710121802.8。
（17） “一种准双栅MOS晶体管及其制备方法”，张盛东、李定宇、陈文新、韩汝琦，200710176207.4。
（18） “一种制作FinFET晶体管的方法”，张盛东、李定宇、陈文新、韩汝琦，200710176291.x。
（19） “一种准双栅MOS晶体管的制备方法”，张盛东、李定宇、陈文新、韩汝琦，200710176292.4。
（20） “Complementary metal-oxide-semiconductor transistor structure for high density and high performance integrated circuits，” P. Chan, M. Chan, X. Wu, Shengdong Zhang, US patent 20070181947。
（21） “MOS晶体管体区的掺杂方法”，张盛东、孙雷、陈文新、韩汝琦，200710177105.4。
（22） “一种紫外图像传感器的像素单元结构及其制备方法”，张盛东、王漪、金玉丰，200810118876.0。
（23） “一种单片集成紫外图像传感器及其像素单元以及制备方法”，张盛东、王漪、金玉丰，200810118875.6。
（24） “一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法”，张盛东、李绍娟、王漪、孙雷、关旭东，200910077733.4。
（25） “一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法”，张盛东、李绍娟、王漪、孙雷、关旭东，200910077731.5。
（26） “一种薄膜晶体管及图像显示装置的制作方法”，张盛东、李绍娟、王漪、孙雷，200910106613.2。
（27） “一种薄膜晶体管及其制作方法、图像显示装置”，张盛东、李绍娟、王漪、孙雷，200910106614.7。
（28） “一种部分耗尽的绝缘层上硅MOS晶体管的制作方法”，张盛东、廖聪维、韩汝琦等,200910109443.3。

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