金属氧化物薄膜晶体管

金属氧化物半导体被认为最有希望取代硅基材料而成为TFT的沟道材料。金属氧化物TFT具有以下优点：1）迁移率高；2）器件性能均匀，适合大面积生产；3）制备温度低，适合柔性显示；4）禁带宽，可见光下透明，适合透明显示。

目前主要研究课题：

1）新的金属氧化物薄膜材料的寻找；

2）氧化物TFT的器件物理与模型；

3）氧化物TFT的稳定性；

4）氧化物TFT的制造工艺技术。