实验室三名同学同学参加IEEE电子器件与固态电路国际会议（EDSSC 2025）

2025年6月12 – 15日，2025年IEEE电子器件与固态电路国际会议（International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC）在宁夏银川召开，我实验室共5篇论文入选。博士生张宇晗、硕士生胡江波和郭凡参加会议。

IEEE EDSSC是电子器件和固态电路和系统广泛领域的思想、研究成果和行业经验交流的多学科论坛。会议通过技术会议、海报展示、现场演示和会议论文发表等形式进行。

实验室张宇晗同学作题为“Eliminating Hysteresis in Dual-Gate a-IZO TFTs via N2O Plasma Passivation of Back-Gate Insulator Interface Defects”报告，系统研究了笑气等离子体处理对于双栅氧化物TFT电学性能的影响，通过优化工艺参数，钝化栅介质界面缺陷，全面提升了双栅氧化物TFT电学性能。该项工作获得“Excellent Paper”奖。

张宇晗同学演讲

         实验室胡江波同学作题为“A Novel Active-Pixel Readout Circuit Based on Bias Current Cancellation for Dynamic X-ray Imaging”报告，提出了一种新颖的读出电路技术，它解决了在电流模式有源像素中多通道集成的积分器的积分电容易饱和的问题。这种设计通过使用列共享偏置电流源来消除像素输出中的静态工作电流，因此只有 X 射线曝光引起的变化电流才能进入读出电路。

胡江波同学演讲

          实验室郭凡同学作题为“A 6048-PPI High Performance OLEDoS Pixel Circuit with Self-Charging Capacitor Coupling Method”报告，论文面向高PPI硅基OLED应用，提出了一种“自充电-电容耦合式”像素电路，在6048ppi下实现了电流误差率约±2%。扩展数据电压范围到原来的7.22倍，便于源极驱动电路的设计，像素电路性能指标达到了领先水准。

郭凡同学演讲

图文提供：胡江波