实验室成功组织第九届IEEE CAD-TFT国际学术会议

2018年11月16日至18日，由北京大学深圳研究生院主办，IEEE深圳分会、南方科技大学、华星光电联合协办的第九届国际薄膜晶体管计算机辅助设计会议（IEEE CAD-TFT 2018）在深圳市紫荆山庄顺利召开。张盛东老师是本届CAD-TFT大会主席。周航老师、严建花老师带领TFTSOP实验室同学组织和协调了整个会议的各个环节。实验室同学杨欢、邓轩、雷腾腾、左鸿阳等同学受邀参加了这次会议。

本届CAD-TFT会议吸引了来自加拿大、意大利、日本、法国等十多个国家的近200名学者，围绕薄膜晶体管(TFT)前沿技术进行了广泛而深入的交流和讨论。此次会议共设64个报告，涵盖TFT器件模拟及电路仿真、薄膜晶体管新型应用、印刷及有机薄膜晶体管等方面，为参会学者、学生及企业机构研究人员展示了TFT领域的最新研究进展和成果。

17日上午，在大会开幕式上北京大学信息工程学院执行院长暨本次大会主席张盛东教授为大会致辞。张盛东教授回顾了北京大学在薄膜晶体管技术方面的研发历程，及深圳市在平板显示领域取得的巨大成就，并作为大会主席欢迎与感谢参会的各位学者。

大会四位特邀报告分别来自剑桥大学的Prof. Arokia Nathan、 Silvaco公司的Dr. Ahmed Nejim、香港科技大学的工学院院长Tim Cheng教授和北京博达微科技有限公司的CEO李严峰。四位报告人分别为大会带来不同细分领域的精彩报告，同与会人员一起分享了他们在各自领域所取得的成果和进展。会议期间，来自韩国庆熙大学的Jin Jang教授、浦项科技大学Sungjune Jung教授以及来自中山大学的刘川教授分别就AMOLED薄膜晶体管、柔性薄膜晶体管3D集成技术和薄膜晶体管的器件物理与参会人员做了深入研讨。

实验室硕士生雷腾腾在“电路”会场上做了题为“An a-InGaZnO TFT Gate Driver Circuit with Positive Feedback Effect”的报告；左鸿阳在“氧化物或低温多晶硅薄膜晶体管”会场做了题为“Optimization of Electrical Properties of ZnSnO Back-Channel Etch Thin-Film Transistor”的报告；杨欢的论文“Performance Improvement of Back-Channel-Etched a-IGZO TFTs by O2 Plasma Treatment”以及邓轩的论文“High mobility metal-oxide thin film transistors with IGZO-In2O3 dual-channel structure”在海报环节展出。

此次大会在深圳的召开，极大地便利了我实验室师生与国际学者的学习交流，同学们更加深入地了解了薄膜晶体管与显示行业的最新发展动态与前景，极大地提高了同学们对薄膜晶体管技术的研发热情，大家受益匪浅。

撰稿：李一庆