廖聪维博士出席CAD-TFT 2014并作邀请报告

2014年10月15日~17日，第6届国际薄膜晶体管计算机辅助设计会议(CAD-TFT 2014)及2014薄膜晶体管技术与应用研讨会在南京隆重召开。本次大会在南京钟山宾馆（江苏省会议中心）召开，它吸引到了国际/国内TFT领域学术界和企业界200名学者和技术专家的参与。这也是国内首届薄膜晶体管技术与应用研讨会 （ChinaTFT2014）。会议得到了南京经济开发区的支持，赞助和支持的企业和学术机构包括有SILVACO、上海交通大学、华大九天等。

在10月15日，Arokia Nathan等5名TFT领域的国际著名专家作Tutorial 演讲。演讲的主题包括了氧化物和有机TFT的物理机制、建模、电路设计等基本理论和最新进展。10月16日至17日的会议内容覆盖了TFT相关技术前沿议题，邀请报告和口头报告的内容包括有氧化物和有机TFT的制备和建模技术、TFT电路设计以及CAD技术等。

我实验室代表廖聪维出席了这次大会。大会上我实验室的邀请报告题目为“Design of Low Power and Highly Reliable TFT Gate Driver on Array”。报告指出由于窄边框、低成本等优势，GOA技术在平板显示的应用越来越广泛。但是现在的大部分GOA设计还存在功耗值偏大、可靠性欠佳等问题。我们通过详细的分析确定出GOA的主要功耗来源，并且设计出一种基于交叠时钟信号控制的低功耗GOA电路。其相比于常规设计，节约功耗的量达到50%以上。报告还分析了GOA可靠性问题的来源以及提高可靠性的方法。口头报告题目为“P-Type CuO Thin Film Transistors by DC Reactive Sputtering of Copper”，作者是陈哲远同学。该报告指出，p型TFT的实现对于CMOS电路和屏上集成系统(SoP) 设计至关重要。由于铜空位以及氧间隙，氧化铜可能成为p型的半导体材料。陈哲远同学报道了我们实验室制备的p型氧化铜TFT的性能，其主要特色在于采用铜靶DC反应溅射，制备温度为室温，工艺成本低。

主会场

受邀专家合影