肖祥、李文杰等同学参加2014年ICSICT会议

 2014 IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2014)于2014年10月28日至2014年10月31日在广西桂林圆满召开。该会议旨在提供一个介绍及讨论固态和集成电路技术最新进展的国际论坛。本次会议议题广泛，包括固态器件、电路、工艺、材料及其他相关研究等。大会分设多个discussion section，每个section以特邀报告加regular oral presentation方式介绍该研究方向的一些研究进展。除此之外，大会还邀请了国际著名公司、大学及研究机构的知名学者作keynote report，介绍当今固态和集成电路技术最新研究进展及发展趋势。

 本次会议共发表9篇TFT and Advanced Display Lab实验室的研究论文，其中8篇论文被录用为oral presentation，涵盖TFT制程工艺、建模仿真、电路设计等。硕士生郁文及李文杰分别就a-Si:H TFT的AC stress可靠性及寿命预测模型分别做了报告；郁文同时代表陈哲远作了关于p-type Cu₂O TFT的研究报告；博士生邓伟作了工艺温度对a-IGZO TFT性能影响的研究报告，同时代表贺鑫作了关于自对准double-gate a-IGZO TFT工艺报告；硕士生赵楠楠作了关于Titanium-doped zinc oxide TFT研究报告；硕士生韩静文作了真空退火工艺对ZnO TFT性能的影响和栅极耦合及失配对双栅有机TFT器件性能影响的报告；博士生肖祥作了关于不同热处理方式对flexible a-IGZO TFT性能影响的报告。

 本次会议上，除了我们实验室有关于TFT的论文发表外，复旦、清华、苏州大学也有相关的研究论文发表。苏大Wang Mingxiang教授作了“The threshold voltages of low temperature polycrystalline silicon thin film transistors”的邀请报告；Zhang Dongli博士作了“Supression of leakage current of low-temperature polycrystalline silicon thin-film transistors by negative bias sweeping”的研究报告；Guo Xuelai作了题为“Extraction of Structure Parameter of a-IGZO TFTs based on CV Measurement”的报告。复旦大学Qu Xin-Ping教授课题组报告了O₂和Ar plasma处理对sol-gel法制备的Mg-doped InZnO TFTs性能改进的研究报告。清华大学Xie Dan教授课题组作了源/漏材料对Al-doped ZnO TFT特性影响的研究报告。

 近些年来，可穿戴设备及柔性器件受到极大关注。本次会议特别邀请了东京大学的Takao Someya教授作了“Bionic skins Using Flexible Organic Devices”的keynote报告；同时，也邀请了中科院微电子所的Liu Ming教授作了“Organic Electronic Device and Circuit”的邀请报告。有机器件因其工艺成本低、弯曲可靠性高等优势非常适合用于柔性显示系统及可穿戴设备。但是，有机器件特性受环境气氛及等离子体影响较大，所以需要采取有效的封装技术。