IEEE EDL五月刊发表我实验室论文

         国际微电子领域权威期刊IEEE Electron Device Letters今年第五期刊登了我实验室论文“Indium-Tin-Oxide Thin-Film Transistors with In Situ Anodized Ta₂O₅ Passivation Layer”（文章链接：http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=7444135）

         AOS TFTs具有高迁移率、高稳定性和大尺寸上的高均匀性，被视为下一代平板显示（FPD）的最佳候选者。在金属氧化物半导体（MOS）中，铟锡氧化物（ITO）具有低的电阻和高可见光透过率，广泛地应用于显示面板中充当像素电极，是现代FPD中不可缺少的一部分。若能建立起一套“All by ITO”技术，使源漏电极、有源层、栅电极与像素电极一样均为ITO材料，这能简化显示面板的制备工艺，降低制备成本等。但是传统的用作导电材料的ITO具有高的载流子浓度，这会阻碍器件的正常关断。针对此问题，本实验室用阳极氧化的方式处理高电导的ITO有源层，从而得到了有正常开关特性的TFT。在实际应用中，钝化层对得到高稳定性的TFT是至关重要的，传统的PECVD生长的SiO₂材料，不仅会在有源层中引入H，而且不能完全的隔绝外界水汽的影响，本实验室已经用背沟道阳极氧化的方式，使金属Al氧化为Al₂O₃来充当钝化层，但是仍存在一些问题。本论文针对上述问题，提出用背沟道阳极氧化方式处理，使金属Ta氧化为高质量的Ta₂O₅来充当钝化层，同时对高电导的ITO有源层进行处理，最终制备出高迁移率高稳定性的ITO TFTs。

        该论文的第一作者为硕士生乐勇同学，此项研究是在深圳TFT与先进显示重点实验室完成，受NSFC (61574003)和深圳科技计划(JCYJ20140417144423195)等项目的赞助。论文共同作者还有邵阳、肖祥和徐心同学和张盛东老师。