IEEE EDL 九月刊发表我实验室论文

    国际微电子领域权威刊物IEEE Electron Device Letters今年第九期刊登了我实验室论文“Implementation of Fully Self-Aligned Homojunction Double-gate a-IGZO TFTs”(文章链接http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6867338&sortType%3Dasc_p_Sequence%26filter%3DAND%28p_IS_Number%3A6881771%29)。

    非晶氧化铟镓锌（a-IGZO）薄膜晶体管（TFT）由于其一系列优点，目前被认为最有希望取代传统硅基器件而应用在下一代显示器的像素电路和外围逻辑电路中。相比于传统的单栅器件，双栅a-IGZO TFT具有更大的电流驱动能力和更稳定的器件特性，这有助于实现更大尺寸和更高分辨率的显示器。另外，其动态阈值电压效应对于制备基于a-IGZO TFT的高性能逻辑电路具有重要意义。然而，真正要实现双栅a-IGZO TFT的实际应用，需要其两个栅电极与源/漏区之间形成自对准结构，否则会产生一系列问题，如较大的寄生电容，严重的器件性能波动，并且不利于器件尺寸的小型化。可是，目前所有见诸报导的双栅a-IGZO TFT都是非自对准或半自对准的，本文首次提出并实验验证了一种全自对准双栅同质结a-IGZO TFT的制备技术。在加工过程中，仅仅通过一次背面曝光技术就实现了底栅、顶栅和源/漏区之间自对准的结构，并且该结构得到了扫描电镜和电容测试结果的验证。同时，器件表现出良好的电学特性和稳定性。另外，由于底栅电极与顶栅电极可以分别偏置，从而实现了对阈值电压的动态调节。

    该论文的第一作者为博士生贺鑫同学，在此向他表示祝贺。此项研究是在深圳TFT与先进显示重点实验室和香港科技大学纳米加工平台完成，受NSFC（61274084）和深圳科技计划（JCYJ20120829170028552）等项目的资助。论文共同作者还包括王龙彦、肖祥、邓伟、张乐陶等博士研究生，张盛东教授，和香港科技大学陈文新教授。