IEEE EDL九月刊发表我实验室论文

           国际微电子领域权威期刊IEEE Electron Device Letters今年第九期刊登了我实验室论文“Performance and Stability Improvements of Back-Channel-Etched Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film-Transistors by CF4+O2 Plasma Treatment”（文章链接：http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=7155497&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fstamp%2Fstamp.jsp%3Ftp%3D%26arnumber%3D7155497）。

          非晶铟镓锌氧薄膜晶体管（a-IGZO TFT）与非晶硅（a-Si:H）TFT相比，具有迁移率高、开态电流大，关态电流低等优异的电学性能，被认为是平板显示领域最具潜能的下一代TFT阵列技术，将应用在大尺寸、高分辨率、高驱动频率平板显示中，如TFT-LCD、AM-OLED。目前，IGZO TFT最常用的是刻蚀阻挡层结构（ESL）。ESL结构需要更多的光刻工艺，导致设备投资和生产成本增加。而且，采用ESL结构 也导致TFT尺寸很难缩小，同时具有较大的寄生电容，制约了该结构在高分辨率、窄边框、低功耗等产品中的应用。背沟道刻蚀型（BCE）结构可以有效地解决上述问题，成为近年来的研究热点。

          采用BCE结构，通常会有SD层金属残留或其刻蚀液对IGZO薄膜产生腐蚀，导致TFT性能和稳定性变差。这是制约该技术应用的主要难题。本论文提出一种新的的背沟道处理方法，即CF4+O2的等离子体处理方法，有效地解决上述问题。研究表明，使用CF4+O2的等离子体处理背沟道，可以有效地去除金属残留，并修复SD层刻蚀液对IGZO层的损伤。a-IGZO- TFT 的电学性能及稳定性因而显著改善。

         该论文的第一作者为博士生刘翔同学，共同作者还包括我实验室的王玲和张盛东老师，以及京东方研发中心的胡合合、卢鑫泓、王珂、王刚等研发人员，在此向他们表示祝贺。此项研究受到NSFC（61274084）和 深圳科技计划（JCYJ201208170028532）项目的资助。