IEEE TED九月刊发表我实验室论文
国际微电子领域权威期刊IEEE Trans. on Electron Devices今年第九期刊登了我实验室论文“One Gate Diode-Connected Dual-Gate a-IGZO TFT Driven Pixel Circuit for Active Matrix Organic Light-Emitting Diode Displays”（文章链接：http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber =7524746）
近年来，基于薄膜晶体管（TFT）的AMOLED显示屏因其优越的性能，如，高对比度，快速响应时间，宽视角，高色彩饱和度等，被认为可能取代LCD，成为下一代主流显示技术。然而，TFT和OLED的阈值电压（VTH）在长时间的电应力下会发生偏移或者空间存在不匹配，导致流过OLED的电流发生变化。由于OLED是电流发光型器件，发光亮度与电流成正比，因此TFT和OLED的VTH变化会导致显示面板在时间上或者空间上存在偏差，造成显示的退化或者不均匀。
为了补偿TFT和OLED的VTH退化或者不匹配而造成的影响，学术界提出了一些补偿电路。根据编程方式的不同，这些补偿方案可分为两类：1）电流编程和2）电压编程。虽然，电流编程方案可以同时补偿TFT和OLED的VTH变化，获得更精确的补偿效果，然而，其在小电流情况下的编程速度太慢，影响了其实际应用价值。另一方面，虽然电压编程方案的驱动速度快，但其补偿精度不高，即使进行了补偿，其电流误差也会随着VTH变化量的增大而增大。因此，要想获得高质量的AMOLED显示器，稳定的TFT是必要的。
研究表明，双栅a-IGZO TFT相比于单栅a-IGZO TFT，有更高的稳定性；此外，双栅a-IGZO TFT工作于主栅模式下的VTH可以通过辅栅电压来调节。由于，辅栅可以跟像素电极同时制成，因此也不需要额外的工艺。这些特性使得双栅a-IGZO TFT更适合驱动AMOLED显示器。
文章提出了一种基于二极管接法调整双栅a-IGZO TFT，进而补偿TFT和OLED阈值电压变化的像素驱动电路。在编程的过程中没有电流流过OLED，因此显示屏的对比度更高。文章中用实验证明了该像素电路的有效性。测试表明，当TFT或OLED的阈值电压变化量为0.5V时，在整个电流范围（7nA到1.13μA）内，电流误差小于3.2%。值得一提的是，与基于单栅二极管提取VTH方法不能补偿TFT的VTH为负值的情况不同，基于双栅a-IGZO TFT的像素电路依然可以补偿VTH为负值的情况，文章中关于这一点也进行了详细的说明。
该论文的第一作者为博士生王翠翠，此项研究是在深圳TFT&SOP重点实验室完成，受NSFC (61574003)，广东省科学基金（2014B050505005）和深圳科技计划(JSGG20150331101105708)等项目的赞助。该论文的通讯作者为张盛东老师，论文共同作者还有TFT&SOP重点实验室的胡治晋、贺鑫、廖聪维。
