薄膜晶体管与先进显示重点实验室
Thin Film Transistor and Advanced Display Lab

IEEE EDL九月刊发表我实验室论文

时间:2015-09-07

           国际微电子领域权威期刊IEEE Electron Device Letters今年第九期刊登了我实验室论文“Performance and Stability Improvements of Back-Channel-Etched Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film-Transistors by CF4+O2 Plasma Treatment”(文章链接:http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=7155497&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fstamp%2Fstamp.jsp%3Ftp%3D%26arnumber%3D7155497)。

          非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT)与非晶硅(a-Si:H)TFT相比,具有迁移率高、开态电流大,关态电流低等优异的电学性能,被认为是平板显示领域最具潜能的下一代TFT阵列技术,将应用在大尺寸、高分辨率、高驱动频率平板显示中,如TFT-LCD、AM-OLED。目前,IGZO TFT最常用的是刻蚀阻挡层结构(ESL)。ESL结构需要更多的光刻工艺,导致设备投资和生产成本增加。而且,采用ESL结构 也导致TFT尺寸很难缩小,同时具有较大的寄生电容,制约了该结构在高分辨率、窄边框、低功耗等产品中的应用。背沟道刻蚀型(BCE)结构可以有效地解决上述问题,成为近年来的研究热点。

          采用BCE结构,通常会有SD层金属残留或其刻蚀液对IGZO薄膜产生腐蚀,导致TFT性能和稳定性变差。这是制约该技术应用的主要难题。本论文提出一种新的的背沟道处理方法,即CF4+O2的等离子体处理方法,有效地解决上述问题。研究表明,使用CF4+O2的等离子体处理背沟道,可以有效地去除金属残留,并修复SD层刻蚀液对IGZO层的损伤。a-IGZO- TFT 的电学性能及稳定性因而显著改善。

         该论文的第一作者为博士生刘翔同学,共同作者还包括我实验室的王玲和张盛东老师,以及京东方研发中心的胡合合、卢鑫泓、王珂、王刚等研发人员,在此向他们表示祝贺。此项研究受到NSFC(61274084)和 深圳科技计划(JCYJ201208170028532)项目的资助。