IEEE TED 十一月刊发表我实验室论文

        国际微电子领域权威期刊IEEE Transactions on Electron Devices 2016年11月刊登了我实验室论文“Analytical Drain Current Model for Organic Thin-Film Transistors at Different Temperatures Considering Both Deep and Tail Trap States”（文章链接：https://doi.org/10.1109/TED.2016.2612679）

         有机薄膜晶体管（OTFT）与其他种类TFT相比，能够在室温下制造，具有低成本的优势，特别适用于不耐高温的柔性衬底，是新一代柔性显示的候选者。基于器件物理建立解析的电流模型，一方面有利于深入理解OTFT中的载流子输运机制，另一方面有利于开发高效的电路仿真工具。有机材料带隙中存在着大量的陷阱态，直接影响器件的电流电压特性。论文从有机材料带隙中指数分布的深能态和带尾态密度出发，假设被陷阱态俘获的载流子浓度远大于自由载流子浓度，基于载流子扩散理论，推导出了OTFT的电流模型，该模型能精确表征不同温度下的电流特性，并发现该温度效应主要是由自由载流子浓度的温度效应决定。与传统的基于变程跳跃（Variable-Range Hopping）理论的电流模型相比，本论文提出的模型在大的温度范围内（80 K-300 K），具有更高的精度。

         该论文的第一作者为何红宇博士（后），此项研究是在深圳TFT与先进显示重点实验室完成，受NSFC (61574003)和深圳科技计划(JCYJ20160510144204207)等项目的赞助。论文共同作者还有刘远、严炳辉、林信南、郑学仁、和张盛东老师。