IEEE TED十二月刊发表我实验室论文
国际微电子领域权威期刊IEEE Trans. on Electron Devices今年第十二期刊登了我实验室论文“Integrated a-Si:H Gate Driver With Low-Level Holding TFTs Biased Under Bipolar Pulses
集成栅极驱动电路（GOA）可以省掉显示器的外围驱动IC及其压封工艺，降低成本、提高机械和电学可靠性、是显示器实现窄边框显示的关键技术。由于氢化非晶硅薄膜晶体管（a-Si:H TFT）是业内主流的TFT技术，基于a-Si:H TFT的GOA也已经得到了广泛的研究，并且已经在中小尺寸显示屏上得到了应用。然而，在大尺寸显示器上的实现GOA是比较困难的，其中一个重要的原因是电路的寿命不够长，电路的可靠性不足。在GOA中，用于输出信号低电平维持的晶体管通常会受到长时间的应力；在电路长时间工作后，这些低电平维持晶体管的阈值电压会发生严重的漂移，成为限制电路寿命的一个关键因素。
在本论文中，提出了一个面向大尺寸TFT-LCD显示器的高可靠GOA电路。在电路中，低电平维持晶体管被偏置在一个低频的、双极性脉冲偏置下（BPB，Bipolar Pulse Bias）下，从而使得这些晶体管在长时间工作后具有较小的阈值电压漂移。通过模拟预测，采用BPB偏置的电路的寿命与传统的电路相比会有4倍以上的寿命提升，在高温情况下，寿命的提升会更加显著。该GOA电路进行了模拟验证、实际制造、流片测试，并且成功的集成到了32-inch TFT-LCD电视屏上。
该论文的第一作者为博士生胡治晋同学，共同作者还包括廖聪维，李文杰，张盛东老师以及深圳市华星光电公司的曾丽媚，李长晔，在此向他们表示祝贺。此项研究是北京大学与深圳华星光电公司合作课题“非晶硅阵列基板行驱动电路”的重要成果。该研究的部分内容在深圳薄膜晶体管与先进显示重点实验室（Shenzhen TFT and Advanced Display Lab）完成，并且受NSFC（61274084）和深圳科技计划（JCYJ20120829170028522）项目的资助。
