IEEE TED 九月刊发表我实验室论文

         国际微电子领域权威期刊IEEE Transactions on Electron Devices 2017年9月刊登了我实验室论文“Analytical Drain Current Model for Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors at Different Temperatures Considering Both Deep and Tail Trap States”（文章链接：https://doi.org/10.1109/TED.2017.2721436）

        非晶InGaZnO薄膜晶体管（TFT）已成为新一代显示技术的核心器件。基于器件物理建立解析的电流模型，一方面有利于深入理解非晶InGaZnO-TFT中的载流子输运机制，另一方面有利于开发高效的电路仿真工具。非晶InGaZnO材料带隙中存在着大量的陷阱态，直接影响器件的电流电压特性。论文从非晶InGaZnO材料带隙中指数分布的深能态和带尾态密度出发，假设被陷阱态俘获的载流子浓度远大于自由载流子浓度，基于载流子扩散漂移理论，推导出了非晶InGaZnO的电流模型，该模型能精确表征不同温度下的电流特性。

        该论文的第一作者为何红宇博士（后），此项研究受NSFC （61574003）、广东省基金（2014B050505005）和深圳科技计划（JCYJ20160510144204207）等项目的赞助。论文共同作者还有刘远、严炳辉、林信南、郑学仁、和张盛东老师。