北京大学新材料学院吴忠振课题组 Wu Research Group

	基于高功率脉冲放电的筒形阴极
	针对高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS ）放电不稳定、沉积速率低，束流离化率不一等问题，开发了筒形溅射阴极，避免放电问题对涂层的影响,同时产生空心阴极效应增强离化。特殊的离子引出系统纯化，实现近 100 %的离子束流，沉积速率提高数倍。可实现对离子精确控制,制备高性能纳米孪晶结构涂层。







	• 筒形靶内原子反复溅射，电子回旋震荡，离化率高。 • 放电限制在圆筒中，避免“喷溅”对涂层产生影响。 • 磁场引出可提高沉积速率。 • 离子被引出束流中离子比例大幅提高。

基于高功率脉冲放电的筒形阴极