邵阳同学参加国际学术研讨会IDMC’ 2015并作邀请报告

          2015年国际显示制程技术研讨会暨3D影像系统应用国际研讨会（International Display Manufacturing Conference & 3D System and Application 2015, IDMC’ 15 & 3DSA 2015）于8月25日在台湾台北市（Taipei）举行。博士研究生邵阳同学代表我实验室参加此次会议并作了特邀报告，介绍了实验室近期在氧化物薄膜晶体管（Oxide TFT）方面的研究成果。

IDMC’ 2015会场：台北南港展览馆

         IDMC自2001年举办至今，已发展成为国际平板显示技术最具规模的研讨会之一，为国际显示制程领域专家学者提供了良好的交流平台。此次IDMC’ 2015主办单位包括国际信息显示学会（the Society for Information Display, SID）台湾分会，台湾显示产业联合总会（Taiwan Display Union Association, TDUA）等，举办地点为台北世贸中心南港展览馆。本次会议包含学术研讨会和技术展览两部分，学术研讨会包括Green Manufacturing, Touch Technology, Active Matrix Devices, OLED Lighting, Flexile Display and E-paper, Printed Display and Electronics等主题，总共分为22个Technical Sessions，吸引了大批相关领域学者以及业界人士参会。

韩国庆熙大学Jin Jang教授（左）和韩国先进科技学院San-Hee Ko Park教授报告现场

          此次大会上，LG显示有限公司（LG Display Co.）、美国英特尔公司（Intel Corporation）及美国应用材料公司（Applied Materials, Inc）等公司分别作了大会专题演讲。此外，香港科技大学，韩国庆熙大学，韩国首尔大学，中山大学，台湾国立交通大学，台湾国立清华大学，台湾中山大学等高校，以及日本东芝公司（Toshiba Corporation），台湾友达光电公司（AU Optronics Corporation）等显示领域相关公司也在大会上做报告或发表论文。其中韩国庆熙大学Jin Jang教授的邀请报告“Bulk Accumulation Oxide TFTs”以及韩国先进科技学院（Korea Advanced Institute of Science and Technology）San-Hee Ko Park教授的邀请报告“Effect of Hydrogen in Gate Insulator on the Stability of Oxide TFT”引起了与会人员的广泛关注。Jin Jang教授的报告介绍了双栅体积累型氧化物TFT的器件性能以及稳定性（stability）方面的研究；San-Hee Ko Park教授的报告介绍了栅介质中氢元素对氧化物TFT稳定性影响的相关研究。

邵阳博士作邀请报告现场

         本次会议中，我实验室受大会邀请于第8个Technical Sessions: Flexile TFT作特邀口头报告，邵阳博士代表我实验室参加此次研讨会并作了名为“Anodized Oxide TFT Technology”的报告。该报告介绍了我实验室将阳极氧化技术应用于制备氧化物薄膜晶体管方向的研究进展。报告主要分为从以下几个方面进行了阐述：（1）通过阳极氧化金属制备氧化物TFT高k栅介质；（2）通过阳极氧化处理，对氧化物TFT沟道层的性质进行调节；（3）对沟道层上的源漏金属进行阳极氧化，形成氧化物TFT的钝化层。

          通过参加本次会议，不仅向相关领域学者和业界人士介绍了利用阳极氧化技术制备薄膜晶体管方向的研究进展与近期成果，同时让我们更全面和深入地了解了显示领域学术界与业界所关注的热点议题，更提升了我们对实验室已开展研究工作的认识，对实验室现有研究工作的深入展开及新研究方向的开展也具有很大的指导意义。