ADV FUNCT MATER 三月刊发表我实验室论文
国际材料领域权威刊物Advanced Functional Materials今年三月在网上刊登了我实验室论文“Anodized ITO Thin-Film Transistors”。文章链接：http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.201400263/full
TFT是现代显示技术的核心技术。以IGZO为代表的金属氧化物TFT具有低的工艺温度，高的载流子迁移率，均匀的器件性能以及可见光透过率高等优势，非常有希望应用于下一代大尺寸、高分辨率、高帧频透明显示中。但是，氧化物TFT不同于多晶硅TFT，无法通过离子注入等方式来降低源漏区的电阻，源漏需要另加一层低阻的金属层工艺，从而增加了制备工艺的复杂度。因此，如何简化氧化物TFT的器件结构、降低制备成本一直是学术界的研究热点。阳极氧化处理在常压和室温下进行，是一种操作简单、低成本的电化学工艺。在通电阶段，氧化膜/电解液界面处聚集了 许多的O2-， O2-又不断地在电场作用下占据与其接触的氧化膜中的氧空位，从而进入氧化膜。在这个机制的启发下，该论文首次实现了利用阳极氧化对溅射生长的高导电氧化物薄膜进行改性，形成适合运用于沟道层的高阻氧化物薄膜，并制备出了低温高性能同质结构的ITO TFT，同时对TFT阈值电压进行了有效调节。
该论文的第一作者为博士生邵阳同学。这是我实验室发表的第一篇高影响因子论文（IF=9.8），可能也是信息工程学院学生迄今发表的影响因子最高的论文，在此向她表示祝贺。此项研究是在深圳TFT与先进显示重点实验室完成，受NSFC (61274084)和 深圳科技计划(JCYJ20120829170028552)等项目的赞助。论文共同作者还有肖祥、王龙彦、刘洋同学和张盛东老师。
实验室通讯员供稿
