IEEE EDL十二月刊发表我实验室论文

国际微电子器件领域权威刊物IEEE Electron Device Letters今年第十二期发表了我实验室论文“A Multi-Vth a-IGZO TFT Technology Using Anodization to Selectively Reduce Oxygen Vacancy Concentration in Channel Regions”(文章链接http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6922483)。

近年来，以非晶氧化铟镓锌氧（a-IGZO）为代表的金属氧化物薄膜晶体管（TFT）由于其高载流子迁移率和低生产成本等优点受到了广泛关注，并很有希望应用在下一代平板显示器中。可是，研究证明很难得到p型a-IGZO TFT，这阻碍了互补型TFT电路的实现，而互补型电路通常被认为具有低功耗和高性能的优点。不过，采用多阈值技术构建电路可以有效解决这一问题，如增强型和耗尽型器件混合构成的反相器各方面性能要明显由于仅由增强型器件构成的电路。实现多阈值技术的关键在于工艺上选择性调节a-IGZO TFT的阈值电压。本研究组之前的研究工作表明，阳极氧化（anodization）处理可以将氧离子注入ITO薄膜，并将其由导体改性为半导体。本次研究中，我们研究了阳极氧化处理对a-IGZO薄膜的影响，并通过优化阳极氧化工艺条件成功实现了对薄膜中氧空位浓度和电阻率的调节。在器件制备过程中，通过光刻胶保护部分器件的沟道，然后通过阳极氧化处理选择性减少另一部分器件沟道中氧空位浓度，从而达到选择性调节a-IGZO TFT阈值电压的目的。此多阈值技术不仅适用于a-IGZO TFT，还可应用于其它金属氧化物TFT的制备。

该论文的第一作者为博士生贺鑫同学，在此向他表示祝贺。此项研究是在深圳薄膜晶体管与先进显示重点实验室完成，受NSFC（61274084）和深圳科技计划（JCYJ20120829170028552）等项目的资助。论文共同作者还包括肖祥、邵阳、邓伟、冷传利等博士研究生和张盛东老师。