IEEE EDL 十月刊发表我实验室论文

          国际微电子领域权威期刊IEEE Electron Device Letters今年第十期刊登了我实验室论文“Above-Threshold 1/f Noise Expression for Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors Considering Series Resistance Noise”（文章链接：http://dx.doi.org/10.1109/LED.2015.2469723）。

          非晶IGZO-TFT作为新一代平板显示的关键器件，是近年来的研究热点。基于器件物理来正确提取串联电阻是值得研究重要问题。非晶IGZO-TFT的本征迁移率可用幂律参数来表征。器件电流的输入特性是TFT的本征特性和串联电阻效应共同作用的结果。

         本论文指出，结合串联电阻效应之后，由于幂律参数这一特征，TFT电流的输入特性曲线表现出近似线性，前人借用MOSFET的线性法来提取阈值电压，这种方法忽视了TFT的本征特性和串联电阻的存在；而低频噪声（1/f噪声）特性在高栅压下表现出上翘的现象，这证明了存在串联电阻噪声。

         论文采用I²/g_m法确定非晶IGZO-TFT本征迁移率的幂律参数和阈值电压，及串联电阻。从M. A. Py的低频噪声的数值模型出发，考虑非晶IGZO-TFT的幂律参数，推导到G. Ghibaudo的低频噪声模型，最终给出解析的低频噪声表达式。

         该论文的第一作者为何红宇博士，在此向他表示祝贺。此项研究是在深圳TFT与先进显示重点实验室完成，受NSFC（61504003，61574048），深圳科技计划（JCYJ20140417144423195）项目，和中国博士后基金（2015M570012）的赞助。