IEEE TED七月刊发表我实验室论文

          国际微电子领域权威期刊IEEE Trans. on Electron Devices今年第七期刊登了我实验室论文“Charge Trapping Model for Temporal Threshold Voltage Shift in a-IGZO TFTs Considering Variations of Carrier Density in Channel and Electric Field in Gate Insulator”（文章链接：http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?reload=true&arnumber=7112490&filter%3DAND%28p_IS_Number%3A7127078%29）。

         非晶铟镓锌氧薄膜晶体管（a-IGZO TFT）由于具有较高的迁移率，较低的制备温度以及较好的均匀性而被应用在大面积AMOLED显示技术中。由于AMOLED是电流驱动型器件，TFT电流大小直接决定显示亮度，要求TFT具有较高的稳定性，研究IGZO TFT的稳定性非常重要。国内外研究表明，电荷俘获引起的阈值电压漂移是IGZO TFT在电应力下一种普遍的退化机理，因此，掌握电荷俘获机理，提出相对应的模型，对提高IGZO TFT的稳定性及其在电路中的应用非常重要。目前，已有的指数延展模型是拟合公式，不能反映电荷俘获过程，本小组基于电荷在栅介质中的运动过程，于2014年提出了适应于中等强度栅应力下的模型，但栅应力比较大或温度比较高时，该模型会引入误差。

          在本论文中，我们考虑了栅应力过程中沟道载流子浓度和栅介质电场的变化，经过一系列严密的数学推导，得到了更具有物理意义的阈值电压漂移模型。结果表明，该模型可以准确预测IGZO TFT栅应力下电荷俘获引起的阈值电压漂移，尤其是在高栅压，高温等较为恶劣的应力条件下。此外，该模型还发现：沟道载流子密度和栅介质电场随着栅介质中电荷的积累而不断减小，导致电荷俘获速度减慢，最终导致阈值电压漂移减慢。

          该论文的第一作者为博士生王玲同学，共同作者还包括何红宇、刘翔、邓伟同学和张盛东老师，在此向他们表示祝贺。此项研究是在深圳薄膜晶体管与先进显示重点实验室（Shenzhen TFT and Advanced Display Lab）重点实验室完成，受NSFC（61274084）和深圳科技计划（JCYJ20120829170028522）项目的资助。