IEEE TED三月刊发表我实验室论文

        国际微电子领域权威期刊IEEE Trans. on Electron Devices今年第三期刊登了我实验室论文“Amorphous Indium Tin Oxide Thin-Film Transistors Fabricated by Cosputtering Technique”（文章链接：http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=7393800）

         TFT是现代显示技术的核心技术，但传统的a-Si TFTs由于其迁移率低（1 cm²/vs），越来越不能满足现在的大尺寸高分辨的显示需求，而且p-Si TFTs的多晶特性限制了其在大尺寸显示上的应用。近年发展起来的AOS TFTs具有高迁移率、高透光率、高稳定性和大尺寸上的高均匀性，使其适合应用于现在的大尺寸高分辨率的显示面板。在金属氧化物半导体（MOS）中，铟锡氧化物（ITO）具有低的电阻和高光透过率，广泛地应用于AM-LCD显示面板中充当像素电极。若能建立起一套“All by ITO”技术，使源漏电极、有源层、栅电极与像素电极一样，都用ITO制备，这样能简化显示面板的制备工艺，降低制备成本等。但是传统的ITO作TFT有源层时存在两大缺陷：ITO具有高的载流子浓度，这会阻碍器件的正常关断；ITO很容易结晶，在大尺寸上的均匀性差。本论文针对这两个缺陷，提出在传统的ITO材料内掺杂更多的Sn，使ITO在经过高温（300℃）退火后仍然保持非晶态，同时具有较高的迁移率。实验采取的是In₂O₃靶材和SnO₂靶材共溅射的方式来调节生长的ITO薄膜的组分，通过XRD、霍尔测试等方式找出合适的靶材功率配比，最终制备出高迁移率高稳定性的a-ITO TFTs。

         该论文的第一作者为硕士生徐心同学，此项研究是在深圳TFT与先进显示重点实验室完成，受NSFC (61574003)和深圳科技计划(JCYJ20140417144423195)等项目的赞助。论文共同作者还有张乐陶、邵阳、陈哲远和乐勇同学和张盛东老师。

徐心供稿