IEEE TED 五月刊发表我实验室论文

    国际微电子领域权威刊物IEEE Transactions on Electron Devices今年第五期刊登了我实验室论文“Thin-Film Transistor V_th Shift Model Based on Kinetics of Electron Transfer in Gate Dielectric”（文章链接：http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=6778067&tag=1）。

    TFT是现代显示技术的核心技术。可靠性问题一直是TFT的研究热点，一个主要的可靠性问题就是正栅压应力下的阈值电压（V_th）漂移。近年来人们通过观察应力前后器件特性的变化，已经确定V_th漂移的主导机理是由于沟道内的载流子被栅介质或界面上的陷阱俘获，并采用a-Si TFT的指数延展公式（extended exponential equation）来拟合V_th的漂移量，但是还存在很多问题，例如指数延展公式是一个拟合公式，不能反映器件关键参数（如栅介质质量）的影响，也不能解释后续的V_th恢复现象，因此，提出一个具有物理意义的电荷俘获模型很有必要。该论文从IGZO TFT的制备工艺出发，分析物理机理，经过严密的数学推导，首次得到了一个基于物理的电荷俘获模型。该模型可以很好的预测不同应力条件下氧化物TFT阈值电压的漂移量，并且预测栅介质陷阱浓度和陷阱的能级对TFT的可靠性影响很大，因此在制备中要采取工艺减少介质陷阱，尤其是浅能级陷阱。

    该论文的第一作者为博士生王玲同学，这也是她攻读博士学位以来发表的第二篇TED论文，在此向她表示祝贺。此项研究是在深圳TFT与先进显示重点实验室完成，受NSFC (61274084)和 深圳科技计划(JCYJ20120829170028552)等项目的赞助。论文共同作者还有刘驰、蔡玉莹同学和张盛东老师。

实验室通讯员供稿