IEEE EDL 二月刊发表我实验室论文

国际微电子领域权威期刊IEEE Electron Device Letters今年第二期刊登了我实验室论文“1/f Noise Expressions for Amorphous InGaZnO TFTs Considering Mobility Power-Law Parameter in Above-Threshold Regime”（文章链接：http://dx.doi.org/10.1109/LED.2014.2378251）。

非晶IGZO-TFT作为新一代平板显示的关键器件，是近年来的研究热点。低频噪声(1/f噪声)是无损检测器件栅绝缘层质量的有效手段。对非晶IGZO-TFT，理清噪声的物理机理，建立准确的表征方法十分重要。传统的MOSFET，判断低频噪声机制主要有三个理论：McWhorter载流子数量波动理论；Hooge载流子迁移率波动理论；G. Ghibaudo载流子数量波动结合迁移率波动理论。与MOSFET不同，TFT沟道区存在陷阱态。载流子迁移率随电荷密度的增大而增大，能以幂律参数（power-law parameter）表征。本论文从G. Ghibaudo的载流子数量波动理论出发，理清了噪声特性与幂律参数的关系，建立了对线性区和饱和区有效的低频噪声模型，并指出，传统的McWhorter理论和Hooge理论无法准确表征TFT的噪声特性。

该论文的第一作者为何红宇博士，在此向他表示祝贺。此项研究是在深圳TFT与先进显示重点实验室完成，受NSFC（61274084）和 深圳科技计划（JCYJ20120829170028522）项目的赞助。